第一章2016-2023年半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)總體分析

1.1　2016-2023年全球LED產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展

1.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.1.2　重點(diǎn)區(qū)域市場(chǎng)

1.1.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

1.1.4　專利技術(shù)現(xiàn)狀

1.1.5　照明市場(chǎng)預(yù)測(cè)

1.2　2016-2023年中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.2.1　行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.2.2　市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)

1.2.3　產(chǎn)量規(guī)模分析

1.2.4　技術(shù)前沿?zé)狳c(diǎn)

1.2.5　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1.3　2016-2023年中國(guó)LED市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

1.3.1　主要應(yīng)用需求

1.3.2　出口情況分析

1.3.3　產(chǎn)業(yè)集群現(xiàn)狀

1.3.4　企業(yè)購(gòu)并整合

1.4　2016-2023年中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析

1.4.1　產(chǎn)業(yè)鏈組成環(huán)節(jié)

1.4.2　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展透析

1.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈主要壁壘

1.4.4　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展趨勢(shì)

第二章2016-2023年LED用襯底材料發(fā)展綜述

2.1　LED襯底材料的基本情況

2.1.1　LED外延片基本概述

2.1.2　紅黃光LED襯底

2.1.3　藍(lán)綠光LED襯底

2.2　LED用襯底材料總體發(fā)展?fàn)顩r

2.2.1　全球LED材料市場(chǎng)

2.2.2　中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

2.2.3　技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

2.2.4　襯底材料發(fā)展趨勢(shì)

第三章2016-2023年藍(lán)寶石襯底發(fā)展分析

3.1　藍(lán)寶石襯底的基本情況

3.1.1　藍(lán)寶石襯底材料的特征

3.1.2　外延片藍(lán)寶石襯底要求

3.1.3　藍(lán)寶石生產(chǎn)設(shè)備的情況

3.1.4　藍(lán)寶石晶體生產(chǎn)方法

3.2　藍(lán)寶石襯底材料市場(chǎng)分析

3.2.1　全球市場(chǎng)現(xiàn)狀

3.2.2　中國(guó)市場(chǎng)現(xiàn)狀

3.2.3　中國(guó)市場(chǎng)格局

3.2.4　技術(shù)發(fā)展分析

3.2.5　發(fā)展困境分析

3.3　藍(lán)寶石項(xiàng)目生產(chǎn)狀況

3.3.1　原材料

3.3.2　生產(chǎn)設(shè)備

3.3.3　項(xiàng)目進(jìn)展

3.4　市場(chǎng)對(duì)藍(lán)寶石襯底的需求分析

3.4.1　民用半導(dǎo)體照明

3.4.2　民用航空領(lǐng)域

3.4.3　軍工領(lǐng)域

3.4.4　其他領(lǐng)域

3.5　藍(lán)寶石襯底材料的發(fā)展前景

3.5.1　全球發(fā)展趨勢(shì)

3.5.2　未來(lái)市場(chǎng)需求

第四章2016-2023年硅襯底發(fā)展分析

4.1　半導(dǎo)體硅材料的基本情況

4.1.1　電性能特點(diǎn)

4.1.2　材料制備工藝

4.1.3　材料加工過(guò)程

4.1.4　主要性能參數(shù)

4.2　硅襯底LED芯片主要制造工藝的綜述

4.2.1　Si襯底LED芯片的制造

4.2.2　Si襯底LED封裝的技術(shù)

4.2.3　S襯底LED芯片的測(cè)試結(jié)果

4.3　硅襯底上GaN基LED的研究進(jìn)展

4.3.1　優(yōu)缺點(diǎn)分析

4.3.2　緩沖層技術(shù)

4.3.3　LED器件

4.4　硅襯底材料技術(shù)發(fā)展

4.4.1　國(guó)內(nèi)技術(shù)現(xiàn)狀

4.4.2　中外技術(shù)差異

第五章2016-2023年碳化硅襯底發(fā)展分析

5.1　碳化硅襯底的基本情況

5.1.1　性能及用途

5.1.2　基礎(chǔ)物理特征

5.2　SiC半導(dǎo)體材料研究的闡述

5.2.1　SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)

5.2.2　SiC半導(dǎo)體材料的性能

5.2.3　SiC半導(dǎo)體材料的制備

5.2.4　SiC半導(dǎo)體材料的應(yīng)用

5.3　SiC單晶片CMP超精密加工的技術(shù)分析

5.3.1　CMP超精密加工發(fā)展

5.3.2　CMP技術(shù)的原理

5.3.3　CMP磨削材料去除速率

5.3.4　CMP磨削表面質(zhì)量

5.3.5　CMP影響因素分析

5.3.6　CMP拋光的不足

5.3.7　CMP的發(fā)展趨勢(shì)

5.4　碳化硅襯底材料發(fā)展現(xiàn)狀

5.4.1　技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

5.4.2　市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r

第六章2016-2023年砷化鎵襯底發(fā)展分析

6.1　砷化鎵的基本情況

6.1.1　定義及屬性

6.1.2　材料分類

6.2　砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用

6.2.1　LED需求市場(chǎng)

6.2.2　LED應(yīng)用狀況

6.3　砷化鎵襯底材料的發(fā)展

6.3.1　國(guó)外技術(shù)發(fā)展

6.3.2　國(guó)內(nèi)技術(shù)發(fā)展

6.3.3　國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家

6.3.4　材料發(fā)展趨勢(shì)

6.3.5　市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

第七章2016-2023年其他襯底材料發(fā)展分析

7.1　氧化鋅

7.1.1　氧化鋅的定義

7.1.2　物理及化學(xué)性質(zhì)

7.2　氮化鎵

7.2.1　氮化鎵的定義

7.2.2　GaN材料特性

7.2.3　GaN材料應(yīng)用

7.2.4　技術(shù)研究進(jìn)展

7.2.5　未來(lái)發(fā)展前景

第八章LED用襯底材料行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)分析

8.1　國(guó)外主要企業(yè)

8.1.1　京瓷（Kyocera）

8.1.2　Namiki

8.1.3　Rubicon

8.1.4　Monocrystal

8.1.5　CREE

8.2　中國(guó)臺(tái)灣主要企業(yè)

8.2.1　臺(tái)灣中美硅晶制品股份有限公司

8.2.2　臺(tái)灣合晶科技股份有限公司

8.2.3　臺(tái)灣鑫晶鉆科技股份有限公司

8.2.4　臺(tái)灣晶美應(yīng)用材料股份有限公司

8.2.5　臺(tái)灣銳捷科技股份有限公司

8.3　中國(guó)大陸主要企業(yè)

8.3.1　天通控股股份有限公司

8.3.2　浙江水晶光電科技股份有限公司

8.3.3　貴州皓天光電科技有限公司

8.3.4　哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)股份有限公司

8.3.5　云南省玉溪市藍(lán)晶科技股份有限公司

8.3.6　青島嘉星晶電科技股份有限公司

8.3.7　深圳市愛(ài)彼斯通半導(dǎo)體材料有限公司

第九章2023-2027年LED用襯底材料行業(yè)投資分析 (BY ZX)

9.1　LED照明行業(yè)投資時(shí)期

9.2　中國(guó)LED市場(chǎng)發(fā)展前景

9.3　全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模預(yù)測(cè)

9.4　LED行業(yè)上游投資風(fēng)險(xiǎn)分析

圖表目錄

圖表1　2016-2023年全國(guó)發(fā)光二極管（LED）行業(yè)產(chǎn)量及同比

圖表2　2023年全國(guó)發(fā)光二極管（LED）行業(yè)累計(jì)產(chǎn)量主要地區(qū)同比增長(zhǎng)情況

圖表3　2023年全國(guó)電光源行業(yè)月度產(chǎn)量及同比

圖表4　2023年全國(guó)電光源累計(jì)產(chǎn)量地區(qū)占比情況

圖表5　2016-2023年全球LED照明市場(chǎng)規(guī)模

圖表6　LED應(yīng)用領(lǐng)域細(xì)分情況

圖表7　2016-2023年中國(guó)LED顯示屏應(yīng)用產(chǎn)值

圖表8　2016-2023年中國(guó)LED背光源應(yīng)用產(chǎn)值

圖表9　2016-2023年中國(guó)LED照明產(chǎn)品市場(chǎng)滲透率

圖表10　2023年全球LED材料市場(chǎng)規(guī)模

圖表11　使用藍(lán)寶石襯底做成的LED芯片示例

圖表12　藍(lán)寶石生產(chǎn)線設(shè)備明細(xì)

圖表13　三種襯底性能比較

圖表14　晶格結(jié)構(gòu)示意圖

圖表15　晶向示意圖

圖表16　Si襯底GaN基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)圖

圖表17　封裝結(jié)構(gòu)圖

圖表18　SiC其它的優(yōu)良特性

圖表19　SiC單晶片CMP示意圖

圖表20　2023年碳化硅全年出口數(shù)量及變化情況

圖表21　2016-2023年中國(guó)碳化硅出口數(shù)量、價(jià)格變動(dòng)情況

圖表22　2023年中國(guó)碳化硅主要出口國(guó)及其數(shù)量

圖表23　2023年中國(guó)碳化硅出口主要國(guó)家（地區(qū)）

圖表24　砷化鎵基本屬性

圖表25　GaAs晶體生長(zhǎng)的各種方法的分類

圖表26　LED發(fā)光亮度

圖表27　我國(guó)砷化鎵在高亮度LED應(yīng)用市場(chǎng)構(gòu)成

圖表28　中國(guó)砷化鎵材料主要生產(chǎn)企業(yè)

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