2025年中國碳化硅晶圓和襯底市場占有率及行業競爭格局分析報告

一、碳化硅晶圓和襯底產業概述

碳化硅（SiC）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，因其優異的物理性能，如高擊穿電場、高熱導率和高電子飽和漂移速度，逐漸成為新能源汽車、軌道交通、光伏逆變器、5G通信等領域的重要材料。特別是在電動汽車快速發展的背景下，碳化硅器件憑借其高效率和低能耗的優勢，成為功率電子器件的ss材料。

碳化硅晶圓和襯底作為整個碳化硅產業鏈的上游環節，直接決定著下游器件的性能和成本。其中，碳化硅襯底是外延生長的基礎，其質量和成本對整個產業鏈具有深遠影響；而碳化硅晶圓則是通過外延技術在襯底上生長制成，是制造碳化硅基功率器件的核心材料。，隨著全球對碳化硅需求的不斷增加，我國碳化硅晶圓和襯底市場迎來了前所未有的發展機遇。

二、2025年中國碳化硅晶圓和襯底市場占有率分析

（一）市場規模快速增長

根據行業數據顯示，2025年中國碳化硅晶圓和襯底市場規模預計將達到約300億元人民幣，較2020年的50億元增長近6倍。這一增長主要得益于新能源汽車市場的爆發式擴張、光伏發電需求的持續增長以及5G通信基礎設施建設的加速推進。

在碳化硅襯底領域，中國企業的市場占有率近年來顯著提升。2025年，預計國內襯底廠商將占據全球市場40%以上的份額。這得益于我國企業持續加大研發投入，逐步突破6英寸和8英寸襯底的技術瓶頸，實現了從依賴進口到部分自主供應的轉變。

在碳化硅晶圓方面，隨著外延技術的不斷成熟，我國企業也開始逐步縮小與國際領先廠商的差距。2025年，中國碳化硅晶圓廠商預計將占據全球市場35%左右的份額，尤其是在中低端市場領域，國內企業的競爭力已顯著增強。

（二）市場占有率分布

從市場競爭格局來看，目前全球碳化硅晶圓和襯底市場主要由歐美日韓企業主導。，中國企業在政府政策支持和市場需求拉動下，正在迅速崛起。以下為2025年中國碳化硅晶圓和襯底市場占有率的主要分布：

1. 碳化硅襯底市場：國際ltqy如美國Wolfspeed（原Cree）和德國SiCrystal仍占據較大市場份額，但國內企業如天岳先進、山東天科合達、世紀金光等正快速追趕。預計2025年，天岳先進將占據國內襯底市場約25%的份額，天科合達和世紀金光分別占據20%和15%的份額。

2. 碳化硅晶圓市場：在晶圓領域，國際廠商如羅姆（ROHM）、英飛凌（Infineon）和意法半導體（STMicroelectronics）占據主導地位。，國內廠商如三安光電、揚杰科技和中車時代電氣等正逐步擴大市場份額。預計2025年，三安光電將占據國內晶圓市場約30%的份額，揚杰科技和中車時代電氣分別占據20%和15%的份額。

三、行業競爭格局分析

（一）國際競爭格局

，全球碳化硅晶圓和襯底市場呈現出高度集中的競爭格局。美國Wolfspeed作為全球碳化硅襯底領域的ltqy，占據了約60%的市場份額，其技術優勢和產能規模使其在全球市場中占據主導地位。德國SiCrystal和日本羅姆則分別占據約20%和10%的市場份額。

在晶圓領域，日本羅姆憑借其在碳化硅功率器件領域的深厚積累，占據了全球晶圓市場約40%的份額。英飛凌和意法半導體緊隨其后，分別占據約25%和20%的市場份額。

（二）國內競爭格局

，隨著中國政府對半導體產業的高度重視以及新能源汽車市場的快速增長，國內碳化硅晶圓和襯底企業迎來了前所未有的發展機遇。，國內市場競爭格局呈現出以下特點：

1. 技術差距逐步縮小：通過持續的研發投入和技術引進，國內企業在6英寸襯底和晶圓領域已基本實現量產，并在部分gd領域開始突破8英寸技術。這標志著我國碳化硅產業正逐步擺脫對進口的依賴。

2. 區域化產業集群效應顯現：，國內碳化硅產業已初步形成了以長三角、珠三角和京津冀為核心的產業集群。其中，長三角地區憑借其強大的技術研發能力和完善的產業鏈配套，成為國內碳化硅產業的lpz。

3. 政策支持推動行業發展：國家“十四五”規劃明確提出要大力發展第三代半導體產業，碳化硅作為其中的重要組成部分，得到了各級政府的大力支持。例如，上海、深圳、北京等地均出臺了針對碳化硅產業的專項扶持政策，為企業提供了資金、技術和市場等多方面的支持。

（三）主要企業競爭分析

1. 天岳先進：作為國內碳化硅襯底領域的ltqy，天岳先進在6英寸襯底技術上已達到國際領先水平，其產品廣泛應用于新能源汽車、光伏發電和軌道交通等領域。公司近年來持續加大研發投入，積極布局8英寸襯底市場，力爭在2025年實現技術突破。

2. 三安光電：作為國內領先的碳化硅晶圓廠商，三安光電在晶圓外延技術上具有較強優勢。公司通過與國內外多家zmqy合作，成功開發出一系列高性能碳化硅晶圓產品，廣泛應用于功率電子器件領域。

3. 揚杰科技：揚杰科技在碳化硅器件領域具有較強的競爭力，其晶圓產品已在新能源汽車和光伏逆變器市場獲得廣泛應用。公司通過不斷優化生產工藝，有效降低了產品成本，提升了市場競爭力。

四、未來發展趨勢及挑戰

（一）技術發展趨勢

1. 向大尺寸晶圓邁進：隨著技術的不斷進步，8英寸碳化硅晶圓將成為未來主流。大尺寸晶圓的使用將顯著提高生產效率，降低單位成本，為碳化硅器件的廣泛應用奠定基礎。

2. 提升襯底質量：襯底質量直接影響外延層的性能和器件的可靠性。，國內企業需要進一步提升襯底的晶體質量，降低缺陷密度，以滿足gd應用需求。

3. 推動外延技術進步：外延層的質量直接決定了晶圓的性能。，國內外延技術將向更薄、更均勻和更高遷移率方向發展，進一步提升碳化硅器件的性能。

（二）面臨的挑戰

1. 技術壁壘高：碳化硅晶圓和襯底的制備技術復雜，涉及高溫高壓環境下的晶體生長、表面處理和缺陷控制等多個環節。國內企業在gd技術領域仍需進一步突破。

2. 市場競爭激烈：盡管國內市場增長迅速，但國際巨頭憑借其技術優勢和規模效應，仍占據較大市場份額。國內企業需要不斷提升技術水平和成本優勢，才能在激烈的市場競爭中占據一席之地。

3. 原材料供應緊張：碳化硅晶圓和襯底的制備需要大量高純度碳化硅粉體，而目前全球碳化硅粉體供應相對緊張，這可能對國內企業的產能擴張造成一定制約。

五、總結

，2025年中國碳化硅晶圓和襯底市場將迎來快速發展，市場規模和市場占有率均將大幅提升。，國內企業在技術突破、成本控制和市場拓展等方面仍面臨諸多挑戰。，隨著技術研發的不斷深入和產業生態的逐步完善，我國碳化硅晶圓和襯底產業有望在全球市場上占據更加重要的地位。